導(dǎo)熱硅脂是以有機(jī)硅酮為基體、添加高導(dǎo)熱無機(jī)填料（如氧化鋁、氧化鋅、氮化硼等）制成的膏狀熱界面材料，具有絕緣性好、高低溫穩(wěn)定、界面潤(rùn)濕性優(yōu)良等特點(diǎn)，廣泛用于CPU、GPU、功率器件、LED模組與散熱器之間的界面填充，可排除空氣、降低接觸熱阻、提升整機(jī)散熱效率。

   導(dǎo)熱系數(shù)是表征導(dǎo)熱硅脂傳熱能力的核心指標(biāo)，其數(shù)值直接決定界面?zhèn)鳠嵝逝c器件工作溫度。傳統(tǒng)穩(wěn)態(tài)熱流法測(cè)試周期長(zhǎng)、對(duì)樣品厚度與裝夾壓力敏感，膏狀樣品易出現(xiàn)厚度不均、接觸不良等問題；而瞬態(tài)平面熱源法測(cè)試速度快、樣品制備簡(jiǎn)單、對(duì)膏體與軟質(zhì)材料適配性強(qiáng)，能有效減小接觸熱阻與對(duì)流干擾，是導(dǎo)熱硅脂導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)定的優(yōu)選方法。

  一、實(shí)驗(yàn)的操作步驟

   1、瞬態(tài)平面熱源法的工作原理

   瞬態(tài)平面熱源法以雙螺旋結(jié)構(gòu)平面探頭同時(shí)作為熱源與溫度傳感器，探頭被均勻夾置于兩份相同樣品之間；施加恒定短時(shí)加熱功率后，記錄探頭溫度-時(shí)間響應(yīng)曲線，基于非穩(wěn)態(tài)熱傳導(dǎo)模型求解得到材料導(dǎo)熱系數(shù)、熱擴(kuò)散系數(shù)等熱物性參數(shù)。該方法無需達(dá)到熱穩(wěn)態(tài)，測(cè)試時(shí)間短、溫升小，可很大程度抑制膏體對(duì)流與界面滑移，適合導(dǎo)熱硅脂等軟質(zhì)/膏狀材料測(cè)試。

   2.測(cè)量?jī)x器

   DZDR-AS導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試儀、恒溫油浴和膏體夾具

   3.測(cè)量樣品

   通用型電子散熱導(dǎo)熱硅脂（基體：甲基硅油；填料：Al?O?/ZnO復(fù)合體系）

   4.實(shí)驗(yàn)步驟

   在實(shí)驗(yàn)之前，先將儀器進(jìn)行校準(zhǔn)。將導(dǎo)熱硅脂均勻涂抹于潔凈載片表面，控制厚度，保證無氣泡、無劃痕、邊緣整齊；將平面探頭置于兩片樣品中間，輕壓夾具使樣品與探頭緊密貼合，避免間隙與滑移，然后重復(fù)測(cè)量，剔除異常值后取平均值，記錄溫升曲線與計(jì)算結(jié)果。

   5.測(cè)試圖譜和數(shù)據(jù)分析

   不同溫度下導(dǎo)熱硅脂導(dǎo)熱系數(shù)測(cè)試結(jié)果，3次平行實(shí)驗(yàn)重復(fù)性良好。

   導(dǎo)熱硅脂導(dǎo)熱系數(shù)隨溫度升高呈緩慢線性下降，溫度升高導(dǎo)致有機(jī)硅基體分子鏈運(yùn)動(dòng)加劇、分子間距增大，基體導(dǎo)熱貢獻(xiàn)略有下降；同時(shí)填料-基體界面熱阻小幅上升，共同使整體導(dǎo)熱系數(shù)降低。在25~125℃常用工作區(qū)間，導(dǎo)熱系數(shù)降幅約10.3%，仍保持較高導(dǎo)熱水平，滿足中高溫電子器件散熱需求。

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